Подложки

 

 

Материал:

Арсенид Галлия (GaAs), Фосфид индия (InP), Карбид кремния (SiC), Кремний (Si), Сапфир, Оксид циркония (YSZ) и т.д.

Диаметр: 2” (50,8мм), 3” (76,2мм), 4” (101,6мм) и т.д.

Обработка поверхности:

- рабочая сторона – эпи-полировка / обратная сторона – травление

- рабочая сторона и обратная сторона – эпи-полировка