Riber MBE-49

 

 

MBE 49 – производственная МЛЭ установка, позволяющая обрабатывать одновременно 4 подложки диаметром 4” (4х4”). MBE 49 оснащена всеми необходимыми компонентами, обеспечивает возможность предростовой обработки и проведения измерений in-situ, требующимися для изготовления эпи-структур в промышленном масштабе, с целью дальнейшего их использования при производстве электронных и электронно-оптичиских устройств, таких как полевые транзисторы со структурой металл-полупроводник (MESFET), ВПЭ транзисторы (P-HEMT), биполярные гетеротранзисторы (HBT) и лазеров накачки. Обладая возможностью производить до 13400 эпи-структур диаметром 4” в год, полностью автоматизированная производственная МЛЭ установка MBE49, в силу высокой пропускной способности, производительности и экономической эффективности, является «де-факто» промышленным стандартом при производстве эпи-структур на базе GaAs.

 На сегодняшний день количество находящихся в эксплуатации установок MBE 49 является наибольшим по сравнению с любыми другими промышленными МЛЭ системами класса 4х4”. Установки MBE 49 эксплуатируются всеми ведущими производителями электронных устройств.

 Ключевые характеристики:

    Проверенная и подтвержденная практикой производственная МЛЭ система.
   Единовременная загрузка 60x4" или 75x3" подложек в одной кассете.
   10 портов для установки МЛЭ-источников большого объема
   Полностью моторизованная система транспортировки подложек
   Полностью автоматизированная система управления эпитаксиальным ростом (Crystal™)
   Проверенные на практике результаты и надежность
   Простота пуско-наладки и быстрый запуск
   Поддержка пользователей в любой стране мира, осуществляемая компанией Riber